研究生张闰午在新型二维平面拓扑绝缘体材料取得重要进展，相关成果在PCCP期刊上发表

　　张昌文教授课题组在新型二维平面拓扑绝缘体（f-Germanene/Stanene）的功能化可调谐电子理论研究方面取得最新进展。于2016年9月21日，在PHYS CHEM CHEM PHYS期刊上（国际知名物理化学类期刊，IF:4.449）发表了题为“Prediction of Flatness-driven Quantum Spin HallEffect in Functionalized Germanene and Stanene”的研究论文。

　　崭新的量子态物质-拓扑绝缘体的发现成为近几年凝聚态物理领域的一项重大科技突破。然而所发现的拓扑材料其体能隙偏小，且在实验上难以制备的问题阻碍了二维拓扑绝缘体的实际应用。本项目基于传统锗基半导体材料，提出设计新型功能化宽带隙的二维平面拓扑绝缘体材料，研究发现通过官能团修饰，其体带隙最大可达0.56 eV（远高于室温条件）, 同时在BN衬底进行生长机理研究发现，材料的拓扑特性得以很好地保护，进而解决了其在衬底生长问题，便于获得更佳的实验易操控生长方案，为开发新型自旋电子和拓扑量子器件打下坚实的基础。

　　本工作的第一完成作者为我院硕士研究生张闰午同学，其指导教师是张昌文教授，纪维霄博士在本工作中做出重要贡献。本成果在线发表在Phys. Chem. Chem. Phys.上(DOI: 10.1039/C6CP06216D) 。本课题是在国家自然科学基金重点和面上项目（No.11434006, 11274143,61571210, 11304121）的大力支持下完成。